HBM3E 内存竞赛升温：三星 4 月出击，美光已领先一步
作者：灵犀软件园时间：2025-06-21 18:41:04
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本站 4 月 10 日消息，韩媒 Sedaily 于 4 月 8 日发布博文，报道称在美国新关税政策的不确定性下，存储巨头们并未放缓脚步，反而加速角逐 HBM3E 市场。
本站援引博文报道，三星调整了 HBM3E 产品设计，计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8H 版本。另一家韩国媒体 EBN 透露，若进展顺利，三星 12 层 HBM3E 有望 5 月获得英伟达认证。
SK 海力士长期称霸 HBM 市场，但美光正迎头赶上。另一家韩媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通过 12 层 HBM3E 验证，并开始交付，支持英伟达最新 B300 产品。
该媒体分析认为美光的 DRAM 总产能虽然不及 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先进工艺占比更高。这让美光在产品质量上占优，尤其在 HBM 关键的散热管理方面表现突出。
此外存储巨头也在加速推进 HBM4 竞赛。三星计划 2025 年实现 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 工艺尚未成熟，目标充满挑战。
Business Korea 早前提到，美光预计 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年生产的 HBM 多为 12 层产品。两大巨头在技术升级上各有布局，未来竞争将更激烈。
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